Teknik implantasi ion memiliki beberapa kelebihan, yaitu pengaturan jumlah dopan lebih akurat, reproduksibilitas profil impuritas lebih baik dan proses dilakukan dalam temperatur rendah, sehingga dapat digunakan untuk pengaturan tegangan threshold. Sebelum menentukan parameter proses perlu dilakukan karakterisasi proses. Berdasarkan hasil karakterisasi itu proses fabrikasi dilakukan untuk mendapatkan hasil proses lebih mendekati perkiraan dan meminimalisasi kerugian yang tidak diperlukan akibat proses trial and error. Pada penelitian tesis ini, kami merancang proses fabrikasi transistor NMOS (n-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) dengan gate polisilikon menggunakan teknik implantasi ion. Proses fabrikasi meliputi pencucian wafer, fotolitografi, etsa, oksidasi, implantasi ion, aktivasi dopan, deposisi polisilikon, dan metalisasi aluminium. Karakterisasi proses implantasi ion fosfor terhadap substrat silikon dengan energi 40 KeV dan dosis 1013 ion/cm2, menghasilkan sambungan p-n untuk substrat-source/drain NMOS dengan kedalaman 0,3 m dan konsentrasi 6,5 x 1018 ion/cm3.
Judul: Perancangan dan Fabrikasi NMOS Menggunakan Teknologi Implantasi Ion
Penulis: Tatyantoro Andrasto & Irman Idris
Penerbit: Mahata
ISBN: 987-623-64080-34-2
Harga:
Tidak ada komentar